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CSD18502Q5B

Name: Texas Instruments CSD18502Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18502Q5B
Price: 2.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18502Q5B

Herst.- Nr.:

CSD18502Q5B

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT

Datenblatt:

CSD18502Q5B Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,86	€ 2,86
	€ 1,86	€ 18,60
	€ 1,30	€ 130,00
	€ 1,11	€ 555,00
	€ 1,01	€ 1 010,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,94	€ 2 350,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18502Q5BT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 3,59

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18502Q5BT

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	52 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	143 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.8 ns
Serie:	CSD18502Q5B
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns
Gewicht pro Stück:	105,300 mg

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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