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CSD17522Q5A

Name: Texas Instruments CSD17522Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17522Q5A
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17522Q5A

Herst.- Nr.:

CSD17522Q5A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A

Datenblatt:

CSD17522Q5A Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,63	€ 1,63
	€ 1,04	€ 10,40
	€ 0,70	€ 70,00
	€ 0,555	€ 277,50
	€ 0,514	€ 514,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,437	€ 1 092,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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CSD17578Q5A

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	3.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CSD17522Q5A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	84,100 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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