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CSD17483F4

Name: Texas Instruments CSD17483F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17483F4
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17483F4

Herst.- Nr.:

CSD17483F4

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T

Datenblatt:

CSD17483F4 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,327	€ 0,33
	€ 0,203	€ 2,03
	€ 0,128	€ 12,80
	€ 0,095	€ 47,50
	€ 0,084	€ 84,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,071	€ 213,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17483F4T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,19

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17483F4T

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	240 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	650 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.01 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	FemtoFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.3 ns
Serie:	CSD17483F4
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.3 ns
Gewicht pro Stück:	0,400 mg

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CSD17483F4 Datenblatt

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

CSD17483F4 FemtoFET MOSFET

Die FemtoFET-MOSFET-Technologie von Texas Instruments ist dafür ausgelegt und optimiert, den Footprint in vielen tragbaren und Mobilfunkanwendungen zu minimieren. Diese Technologie kann Standard-MOSFETS für kleine Signale ersetzen, während sie eine Reduzierung von wenigstens 60 % der Größe des Footprints bietet.
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FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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