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CSD16570Q5BT

Name: Texas Instruments CSD16570Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16570Q5BT
Price: 3.19 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16570Q5BT

Herst.- Nr.:

CSD16570Q5BT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

Datenblatt:

CSD16570Q5BT Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,19	€ 3,19
	€ 2,09	€ 20,90
	€ 1,10	€ 110,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 1,10	€ 275,00
	€ 1,09	€ 545,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16570Q5B

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 2,17

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD16570Q5B

Beschreibung:

MOSFETs 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD16570Q5BT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	680 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	192 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	195 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	72 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	43 ns
Serie:	CSD16570Q5B
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	156 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	24 mg

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Datenblatt

CSD16570Q5BT Datenblatt

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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