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CSD16401Q5

Name: Texas Instruments CSD16401Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16401Q5
Price: 2.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16401Q5

Herst.- Nr.:

CSD16401Q5

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

Datenblatt:

CSD16401Q5 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,87	€ 2,87
	€ 1,87	€ 18,70
	€ 1,31	€ 131,00
	€ 1,13	€ 565,00
	€ 1,07	€ 1 070,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,03	€ 2 575,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16401Q5T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 3,61

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD16401Q5T

Beschreibung:

MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	12.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	168 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	CSD16401Q5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16.6 ns
Gewicht pro Stück:	300 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
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