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CSD16327Q3T

Name: Texas Instruments CSD16327Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16327Q3T
Price: 1.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16327Q3T

Herst.- Nr.:

CSD16327Q3T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

Datenblatt:

CSD16327Q3T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,33	€ 1,33
	€ 1,03	€ 10,30
	€ 0,608	€ 60,80
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 0,608	€ 152,00
	€ 0,519	€ 259,50
	€ 0,491	€ 491,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16327Q3

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,43

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD16327Q3

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	74 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	96 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	CSD16327Q3
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns
Gewicht pro Stück:	44,500 mg

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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