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CSD13381F4

Name: Texas Instruments CSD13381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD13381F4

Herst.- Nr.:

CSD13381F4

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A 595-CSD13381F4T

Datenblatt:

CSD13381F4 Datenblatt

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,31	€ 0,31
	€ 0,231	€ 2,31
	€ 0,132	€ 13,20
	€ 0,09	€ 45,00
	€ 0,071	€ 71,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,058	€ 174,00
	€ 0,051	€ 306,00
	€ 0,044	€ 396,00
	€ 0,041	€ 984,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD13381F4T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,35

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD13381F4T

Beschreibung:

MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	650 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.06 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.5 ns
Serie:	CSD13381F4
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel FemtoFET MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.7 ns
Gewicht pro Stück:	0,400 mg

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TARIC:: 8542399000
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ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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