AFE7768DIABJ

Texas Instruments
595-AFE7768DIABJ
AFE7768DIABJ

Herst.:

Beschreibung:
HF-Transceiver Four-channel RF tran sceiver with dual f

ECAD Model:
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Texas Instruments
Produktkategorie: HF-Transceiver
RoHS:  
Multiband
600 MHz to 6 GHz
29.5 Gb/s
- 40 C
+ 85 C
FCBGA-400
Tray
Marke: Texas Instruments
Abmessungen: 17 mm x 17 mm
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: RF Transceiver
Serie: AFE7768D
Verpackung ab Werk: 90
Unterkategorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Technologie: Si
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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390010
MXHTS:
8542399999
ECCN:
5A991.b

AFE77x8D/AFE7769D HF-Transceiver

Die Vier-/Zweikanal-HF-Transceiver AFE77x8D/AFE7769D von Texas Instruments sind Pin-kompatible, leistungsstarke Mehrkanal-Transceiver. Diese integrieren vier (AFE7768D/AFE7769D) oder zwei (AFE7728D) direkte Aufwärtskonvertierungs-Senderketten und vier (AFE7768D/AFE7769D) oder zwei (AFE7728D) direkte Abwärtskonvertierungs-Empfängerketten. Die Bauelemente verfügen außerdem über zwei Breitband-HF-Sampling-Digitalisierungs-Hilfsketten (Rückkopplungspfade) und eine stromsparende Digital Pre-Distortion (DPD)-Engine zur Linearisierung des Leistungsverstärkers (PA). Der hohe Dynamikbereich der Sende- und Empfangsketten ermöglicht es Mobilfunk-Basisstationen, 2G-, 3G-, 4G- und 5G-Signale zu senden und zu empfangen. Die integrierte Crest-Faktor-Reduzierung (CFR) hilft, das Spitzen-Durchschnitts-Verhältnis (PAR) des Eingangssignals zu reduzieren, um eine effizientere Übertragung durch den Leistungsverstärker zu ermöglichen. Der integrierte hardwarebeschleunigte DPD-Schätzer und -Korrektor des AFE77x8D/AFE7769D von Texas Instruments bietet eine flexible und effiziente DPD-Lösung für die PA-Linearisierung. Die integrierte DPD-Engine korrigiert die durch PA-Nichtlinearität verursachte Verzerrung für Signale mit einer momentanen Bandbreite von bis zu 200 MHz (AFE7728D/AFE7768D)/300 MHz (AFE7769D) und mit einer erweiterten DPD-Bandbreite von bis zu 650 MHz (AFE7728D/AFE7768D)/730 MHz (AFE7769D). Ein spezieller GaN-Korrektor behebt die langfristigen nichtlinearen Speichereffekte aufgrund des Ladungseinschlusses von GaN-PAs.