TSM076NH04DCR RLG

Taiwan Semiconductor
821-TSM076NH04DCRRLG
TSM076NH04DCR RLG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET

ECAD Model:
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Preis (EUR)

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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
2 Channel
40 V
34 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
55.6 W
Enhancement
PerFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Taiwan Semiconductor
Abfallzeit: 5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 42 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 49.3 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 18.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.9 ns
Artikel # Aliases: TSM076NH04DCR
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (VDS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.