TSG65N068CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N068CERVG
TSG65N068CE RVG

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor

Datenblatt:
ECAD Model:
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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
68 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marke: Taiwan Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.7 ns
Verpackung: Reel
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 6.3 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Regelabschaltverzögerungszeit: 10.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.2 ns
Artikel # Aliases: TSG65N068CE
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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