STPSC10H065G2-TR

STMicroelectronics
511-STPSC10H065G2-TR
STPSC10H065G2-TR

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-3
Single
10 A
650 V
1.56 V
470 A
9 uA
- 40 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 1,480 g
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TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.