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STL7LN65K5AG

Name: STMicroelectronics STL7LN65K5AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL7LN65K5AG
Price: 3.12 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL7LN65K5AG

Herst.- Nr.:

STL7LN65K5AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

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Datenblatt:

STL7LN65K5AG Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,12	€ 3,12
	€ 2,05	€ 20,50
	€ 1,43	€ 143,00
	€ 1,26	€ 630,00
	€ 1,16	€ 1 160,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,08	€ 3 240,00
	€ 1,06	€ 6 360,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-VHV-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.15 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	11.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	79 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16.4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.2 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.4 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
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