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STL325N4F8AG

Name: STMicroelectronics STL325N4F8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL325N4F8AG
Price: 2.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL325N4F8AG

Herst.- Nr.:

STL325N4F8AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET

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Datenblatt:

STL325N4F8AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,80	€ 2,80
	€ 1,82	€ 18,20
	€ 1,27	€ 127,00
	€ 1,08	€ 540,00
	€ 1,01	€ 1 010,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,918	€ 2 754,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	373 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	95 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.5 ns
Serie:	STripFET F8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	89 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12.5 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.