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STGWA20M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA20M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20M65DF2
Price: 1.16 EUR
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA20M65DF2

Herst.- Nr.:

STGWA20M65DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead

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Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

STGWA20M65DF2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	40 A
Pd - Verlustleistung:	166 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	HB2
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	40 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STGWA20M65DF2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IH-Baureihe 650-V-IGBTs

STMicroelectronics IH-Baureihe 650-V-IGBTs bieten einen hohen Wirkungsgrad für Induktionserwärmungssysteme und weiche Schaltapplikationen. Die IGBTs gehören zur STPOWER™-Produktfamilie, die über die HB-Baureihe hinausgeht, die zur Zeit für Induktionserwärmungsapplikationen verwendet wird. Aufgrund einer niedrigeren V_CE(sat) zusammen mit einer sehr geringen Ausschaltenergie sorgt die 650-V-IH-Baureihe für einen erhöhten Wirkungsgrad in Endapplikationen. Es gibt 40-A- und 50-A-Bauteile, die bereits in TO-247-Gehäusen mit langen Leitungen verfügbar sind. 20-A- und 30-A-Bauteile befinden sich in der Entwicklungsphase.