STGW35HF60WDI

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGW35HF60WDI

Herst.- Nr.:

STGW35HF60WDI

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Herst.:

STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STGWA20H65DFB2

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.9 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	200 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	STGW35HF60WDI
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	4,430 g