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STGP20H60DF

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGP20H60DF

Herst.- Nr.:

STGP20H60DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

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Datenblatt:

STGP20H60DF Datenblatt (PDF)

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	€ 1,02	€ 10,20
	€ 0,92	€ 92,00
	€ 0,733	€ 366,50
	€ 0,683	€ 683,00
	€ 0,624	€ 1 248,00
	€ 0,612	€ 3 060,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	40 A
Pd - Verlustleistung:	167 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGP20H60DF
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	2,300 g

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Datenblatt

STGP20H60DF Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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