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STGP10H60DF

Name: STMicroelectronics STGP10H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10H60DF
Price: 1.99 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGP10H60DF

Herst.- Nr.:

STGP10H60DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd

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Datenblatt:

STGP10H60DF Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	20 A
Pd - Verlustleistung:	115 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGP10H60DF
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	10 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6 g

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PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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	€ 0,634	€ 634,00
	€ 0,591	€ 1.182,00

STGP10H60DF

Herst.: STMicroelectronics

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