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STFW4N150

Name: STMicroelectronics STFW4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW4N150
Price: 5.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STFW4N150

Herst.- Nr.:

STFW4N150

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Datenblatt:

STFW4N150 Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3PF-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	63 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerMESH
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STFW4N150
Verpackung ab Werk:	300
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	7 g

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Datenblatt

STFW4N150 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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DieSTMicroelectronics N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs werden mit dem konsolidierten Streifenlayout basierend auf dem MESH OVERLAY™ Prozess von STMicroelectronics hergestellt. Dieser Prozess bringt eine fortgeschrittene Produktfamilie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs mit hervorragender Leistung hervor. Das optimierte Layout zusammen mit der proprietären Randabschlussstruktur bietet den niedrigsten R_DS(on) pro Bereich, eine Gateladung und Schaltereigenschaften, die konkurrenzlos sind.
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