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STDRIVEG611Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611Q
Price: 2.59 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG611Q

Herst.- Nr.:

STDRIVEG611Q

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Datenblatt:

STDRIVEG611Q Datenblatt (PDF)

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	€ 1,78	€ 44,50
	€ 1,60	€ 160,00
	€ 1,46	€ 365,00
	€ 1,42	€ 710,00
	€ 1,40	€ 1 400,00
	€ 1,37	€ 3 425,00
	€ 1,34	€ 6 566,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10.6 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	11 ns
Abfallzeit:	22 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Eingangsspannung – Max:	20 V
Eingangsspannung – Min:	3.3 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	60 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	60 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	4900
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Gewicht pro Stück:	44 mg

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Datenblatt

STDRIVEG611Q Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE-Treiber

STMicroelectronics STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE Treiber sind Hochspannungs-Halbbrücken- GATE- Treiber für N-Kanal-Enhancement Modus -GaN. Der High-Side-Treiberbereich ist für eine Spannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Hohe Strombelastbarkeit, kurze Ausbreitungsverzögerung mit ausgezeichneter Verzögerungsanpassung und integrierte LDOs machen den STDRIVEG611 optimal für den Betrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN.