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STDRIVEG600TR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600TR
Price: 3.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG600TR

Herst.- Nr.:

STDRIVEG600TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Datenblatt:

STDRIVEG600TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,50	€ 3,50
	€ 2,65	€ 26,50
	€ 2,43	€ 60,75
	€ 2,20	€ 220,00
	€ 2,09	€ 522,50
	€ 2,02	€ 1 010,00
	€ 1,97	€ 1 970,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,82	€ 4 550,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

STDRIVEG600

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 4,29

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	5.5 A, 6 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	7 ns
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	520 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs.