SH63N65DM6AG

STMicroelectronics
511-SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECAD Model:
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€ 10,84 € 1 084,00
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€ 10,84 € 2 168,00
€ 9,39 € 3 756,00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
2 Channel
650 V
53 A
64 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
424 W
Enhancement
AQG 324
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Verpackung ab Werk: 200
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28 ns
Gewicht pro Stück: 8,200 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET ist ein Automobilstandard-MDmesh-DM6-Halbbrückentopologie-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der eine Sperrspannung von 650 V bietet. Dieser Leistungs-MOSFET ist AQG 324-qualifiziert und BLUETOOTH  in einem ACEPACK SMIT-Gehäuse mit niedriger Induktivität. Der SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET verfügt über sehr niedrige Schaltenergie, einen niedrigen thermischen Widerstand und eine Nennisolierung von 3,4 kVrms/min. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über ein DBC-Substrat (DBC), das dem Gehäuse einen niedrigen   thermischen Widerstand in Verbindung mit einem isolierten Wärme-Pad auf der Oberseite bietet. Der SH63N65DM6AG MOSFET wird in einem Gehäuse mit hoher Designflexibilität geliefert, das mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Aufwärtswandler und Einzelschalter über verschiedene Kombinationen von internen Leistungsschaltern ermöglicht. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.