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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.06 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT65R65AL

Herst.- Nr.:

SGT65R65AL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	5.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	305 W
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Transistorart:	E-Mode
Typ:	RF Power MOSFET
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Application Notes

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor

SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics sind 650-V-25-A-Transistoren kombiniert mit etablierter Packaging-Technologie. Der SGT65R65AL von STMicroelectronics umfasst ein G-HEMT-Bauteil, das extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen extrem schnellen Schaltbetrieb bietet. Mit dem Bauteil lassen sich eine hohe Leistungsdichte und ein unschlagbarer Wirkungsgrad erzielen.

SGT G-HEMT™ E-Modus PowerGaN-Transistoren

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics sind hochleistungsfähige Anreicherungsmodus-GaN-Bauteile (normalerweise ausgeschaltet), die entwickelt wurden, um außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Leitungsverluste und eine hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Leistungsumwandlungs-Applikationen zu ermöglichen. Diese Transistoren nutzen die vorteilhafte große Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Sperrverzögerungsladung von null zu erzielen, was einen überlegenen Wirkungsgrad im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungsschaltern ermöglicht.