Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SCT040H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040H65G3AG
Price: 9.74 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT040H65G3AG

Herst.- Nr.:

SCT040H65G3AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

SCT040H65G3AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics SCT040H65G3AG

Auf Lager: 969

Lagerbestand:: 969 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 9,74	€ 9,74
	€ 6,75	€ 67,50
	€ 5,70	€ 570,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 4,84	€ 4 840,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	39.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	221 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SCT040H65G3AG Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.