SCT040H65G3-7
511-SCT040H65G3-7
SCT040H65G3-7
Herst.:
Beschreibung:
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
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- TARIC:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
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- 854129000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
