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SCT011HU75G3AG

Name: STMicroelectronics SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT011HU75G3AG
Price: 21.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT011HU75G3AG

Herst.- Nr.:

SCT011HU75G3AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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Datenblatt:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 21,51	€ 21,51
	€ 15,81	€ 158,10
	€ 15,80	€ 1 580,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 600)
	€ 13,43	€ 8 058,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HU3PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	154 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	652 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt. Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.