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MASTERGAN2TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN2TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN2TR
Price: 5.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN2TR

Herst.- Nr.:

MASTERGAN2TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN2TR Datenblatt (PDF)

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€ -,--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,78	€ 5,78
	€ 4,45	€ 44,50
	€ 4,11	€ 102,75
	€ 3,75	€ 375,00
	€ 3,58	€ 895,00
	€ 3,47	€ 1 735,00
	€ 3,38	€ 3 380,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 3,17	€ 9 510,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MASTERGAN2

Verpackung:

Tray

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 10,79

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

MASTERGAN2TR Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.