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MASTERGAN1L

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1L
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1L
Price: 7.58 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN1L

Herst.- Nr.:

MASTERGAN1L

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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Datenblatt:

MASTERGAN1L Datenblatt (PDF)

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	€ 5,68	€ 56,80
	€ 5,42	€ 135,50
	€ 4,70	€ 470,00
	€ 4,49	€ 1 122,50
	€ 4,09	€ 2 045,00
	€ 3,66	€ 3 660,00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MASTERGAN1LTR

Verpackung:

Reel, Cut Tape

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 6,14

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Ausgänge:	4 Output
Ausgangsstrom:	12 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	9.5 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Pd - Verlustleistung:	40 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	70 ns
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.