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EVLSTDRIVEG610Q

Name: STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLSTDRIVEG610Q
Price: 50.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-EVLSTDRIVEG610Q

Herst.- Nr.:

EVLSTDRIVEG610Q

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Demonstration board STDRIVEG611 high volt high speed half-bridge gate driver GaN

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Datenblatt:

EVLSTDRIVEG610Q Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	9 V to 18 V
Tool für die Evaluierung von:	STDRIVEG610
Marke:	STMicroelectronics
Abmessungen:	70 mm x 56 mm
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

EVLSTDRIVEG610Q Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 9030820000
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Italien
Herstellungsland:: Italien
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EVLSTDRIVEG610Q Evaluierungsboard

Das STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q Evaluierungsboard basiert auf dem STDRIVEG610 Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von GaN-HEMTs im Anreicherungsmodus und mit hoher Spannung optimiert ist. Der STDRIVEG610 bietet getrennte Hochstrom- Ableitvorrichtungs-/Quellen-Gate-Ansteuerungs-Pins, integrierte LDOs, eine Bootstrap-Diode Unterspannung, High-Side-Schnellstart, Übertemperatur, Fault- und Shutdown-Pins und Standby zur Unterstützung von hartschaltenden Topologien in einem QFN-Gehäuse von 4 mm x 5 mm.