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TP70H300G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4LSGBTR
Price: 3.8 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP70H300G4LSGBTR

Herst.- Nr.:

TP70H300G4LSGB-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TP70H300G4LSGB-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,80	€ 3,80
	€ 2,54	€ 25,40
	€ 1,95	€ 195,00
	€ 1,73	€ 865,00
	€ 1,48	€ 1 480,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,39	€ 4 170,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN

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Datenblatt

TP70H300G4LSGB-TR Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.