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TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 8.62 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H030G4PWS

Herst.- Nr.:

TP65H030G4PWS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

TP65H030G4PWS Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	24.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	192 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	6.8 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	960
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	GaN FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	89.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40.8 ns

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Datenblatt

TP65H030G4PWS Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

Die TP65H030G4Px 650 V 30mΩ Gallium-Nitrid (GaN)-FETs von Renesas Electronics sind in TOLT-, TO247- und TOLL-Gehäusen erhältlich. Diese GaN-FETs nutzen die Gen IV Plus SuperGaN^®Plattform. Sie kombiniert einen hochmodernen Hochvolt-GaN-HEMT mit einem Niedervolt-Silizium-MOSFET, um ein überlegenes Betriebsverhalten, eine einfache Einführung und Zuverlässigkeit zu bieten.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.