RBE029N10R1SZN6#HB0

Name: Renesas Electronics RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-E029N10R1SZN6HB0
Price: 2.17 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

968-E029N10R1SZN6HB0

Herst.- Nr.:

RBE029N10R1SZN6#HB0

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

RBE029N10R1SZN6#HB0 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,17	€ 2,17
	€ 1,50	€ 15,00
	€ 1,43	€ 35,75
	€ 1,08	€ 108,00
	€ 1,07	€ 267,50
	€ 0,92	€ 460,00
	€ 0,912	€ 912,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,781	€ 3 905,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO8-FL
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	160 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.9 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	90 nC
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SmartBond
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Renesas Electronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	REXFET-1
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel

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Datenblatt

RBE029N10R1SZN6#HB0 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V

Die REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V von Renesas Electronics nutzen die Split-Gate-Technologie, wodurch der Einschaltwiderstand R_DSON und die Gütezahl deutlich reduziert werden. Sie eignen sich daher ideal für Hochstromapplikationen. Die Bauteile sind in den Gehäuseoptionen TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) und TOLT (TO Top-Side Cooled) erhältlich und bieten ein außergewöhnliches thermisches Betriebsverhalten sowie maximale Strombelastbarkeit. Darüber hinaus verfügen die MOSFETs über ein Gehäuse mit benetzbaren Flanken für eine hervorragende Lötverbindung. Die REXFET-1 MOSFETs sind AEC-Q100-qualifiziert und verfügen über PPAP-Unterstützung für Fahrzeuganwendungen.