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RS6P060BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6P060BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6P060BHTB1
Price: 2.14 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS6P060BHTB1

Herst.- Nr.:

RS6P060BHTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN

Datenblatt:

RS6P060BHTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,14	€ 2,14
	€ 1,59	€ 15,90
	€ 1,22	€ 122,00
	€ 0,98	€ 490,00
	€ 0,937	€ 937,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,903	€ 2 257,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	73 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	22 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Artikel # Aliases:	RS6P060BH

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Nano-Baureihe Leistungslösungen

Die Leistungslösungen der Nano-Baureihe von ROHM Semiconductor bestehen aus Stromversorgungs-ICs, die entwickelt wurden, um ultra-Hochgeschwindigkeits- und ultra-Niedrigstrom-Technologie umzuwandeln. Nano Pulse Control™ -Applikationen wandeln Hochspannungen in niedrige Spannungen über einen einzigen integrierten Schaltkreis um, um einfachere, kompaktere Systeme zu ermöglichen. Zu den Applikationen gehören Power-over-Ethernet-Geräte (PoE) wie z. B. IP-Telefone, drahtlose Zugangspunkte und Industrieanlagen wie z. B. 48-V-Motorsysteme mit hohem Drehmoment. Die ultraschnelle Nano-Pulsregelungs-Technologie ermöglicht eine vereinfachte Stromversorgungskonfiguration in 48-V-Lithium-Ionen-Autobatterien, was zu einem hohen Abwärtsverhältnis (24:1) von einer maximalen Spannung von 60 V bis 2,5 V führt./ Dies führt zu einer Einschaltzeit von 9 ns, die deutlich unter den 120 ns herkömmlicher Produkte liegt.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse

ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit mit reduziertem Gehäusewiderstand. Die Bauelemente im HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuse bieten einen gleichzeitig niedrigen Einschaltwiderstand und eine Gate-Ladungskapazität, wodurch der Energieverlust reduziert wird. Diese MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und eignen sich hervorragend für Antriebsapplikationen, die mit 24-V- / 36-V- / 48-V-Netzteilen betrieben werden.