QPD1028

Qorvo
772-QPD1028
QPD1028

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

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Qorvo
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
NI-780
65 V
19 A
- 40 C
+ 85 C
400 W
Marke: Qorvo
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Verstärkung: 19.8 dB
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 750 W
Verpackung: Waffle
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: QPD1028
Verpackung ab Werk: 18
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN SiC
Transistorart: HEMT
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren

Qorvo  QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren sind diskrete -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-HEMT (High-Electron-Mobility Transistoren), die von 1,2 GHz bis 1,4 GHz betrieben werden. Diese Bauteile bieten eine gesättigte Ausgangsleistung von 59 dBm mit einer großen Signalverstärkung von 18 dB und einem Drain-Wirkungsgrad von 70 %. Die QPD1028 und QPD1028L Transistoren sind intern für eine optimale Leistung vorabgestimmt und können sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe unterstützen.