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PSMN3R3-80YSFX

Name: Nexperia PSMN3R3-80YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R3-80YSFX
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN3R3-80YSFX

Herst.- Nr.:

PSMN3R3-80YSFX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK

Datenblatt:

PSMN3R3-80YSFX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 1,14	€ 11,40
	€ 1,13	€ 56,50
	€ 0,772	€ 77,20
	€ 0,771	€ 192,75
	€ 0,614	€ 307,00
	€ 0,537	€ 805,50
	€ 0,498	€ 1 494,00
	€ 0,494	€ 2 223,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-SO8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	160 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	70 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	254 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	22 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	934666316115

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs

Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs sind 80 V Standard-Gate-Drive-MOSFETs. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Q_rr für einen höheren Wirkungsgrad und geringere Spitzen. Die PSMNxRx-80YSF Bauteile bieten einen niedrigen Q_G × R_DSon FOM für Schaltapplikationen mit hohem Wirkungsgrad. Zu den typischen Applikationen gehören BLDC-Motorsteuerung, USB-PD-Adapter, primärseitiger Schalter in DC/DC und Synchrongleichrichter in AC/DC und DC/DC.