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PSMN2R3-100SSEJ

Name: Nexperia PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R3-100SSEJ
Price: 7.28 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN2R3-100SSEJ

Herst.- Nr.:

PSMN2R3-100SSEJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1235 100V 255A N-CH MOSFET

Datenblatt:

PSMN2R3-100SSEJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 7,28	€ 7,28
	€ 4,89	€ 48,90
	€ 3,88	€ 194,00
	€ 3,55	€ 355,00
	€ 2,80	€ 2 800,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 2,80	€ 5 600,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1235-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	255 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	161 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	341 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	54 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	41 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	88 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41 ns
Artikel # Aliases:	934661573118

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Datenblatt

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN1R9 und PSMN2R3 n-Kanal-MOSFETs

Die N-Kanal-MOSFETs PSMN1R9 und PSMN2R3 von Nexperia sind für extreme Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt. Die Nexperia PSMN-Bauteile sind Teil der Nexperia-Produktreihe anwendungsspezifischer MOSFETs (ASFETs). Die MOSFETs wurden speziell für Hot-Swap- und Soft-Start-Applikationen entwickelt und sind für den Betrieb bei einer Temperatur von bis zu 175 °C qualifiziert. Die Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen R_DSon und eine verbesserte Leistung im sicheren Wirkbereich aus, was sie zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Leistungsmanagements-Applikationen macht. Das Kupfer-Clip-Gehäuse LFPAK88 der MOSFETs bietet hohe Zuverlässigkeit und ist robust genug, um beim Einschalten erhebliche Einschaltströme zu verarbeiten. Mit niedrigem R_DSon und optimiertem Wirkungsgrad sind die PSMN1R9 und PSMN2R3 eine hervorragende Lösung für Leistungsmanagement-Systeme.