MSCSM120DAM31CTBL1NG

Microchip Technology
579-M120DAM31CTBL1NG
MSCSM120DAM31CTBL1NG

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 11

Lagerbestand:
11 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 75,99 € 75,99

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Microchip
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Boost Chopper
Abfallzeit: 25 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 79 A
Pd - Verlustleistung: 310 W
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 31 mOhms
Anstiegszeit: 30 ns
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule sind Wandler mit hohem Wirkungsgrad, die über ein Si3N4-Substrat mit dicker Kupferschicht für eine verbesserte thermische Leistung verfügen. Diese Module bieten ein niedriges Profil, eine direkte Montage am Kühlkörper (isoliertes Gehäuse), einen internen Thermistor für die Temperaturüberwachung und einen erweiterten Temperaturbereich. Die MSCSM120x Module werden bei einer Sperrspannung (VR) von 1,2 kV, einem Gate-Quellenspannungsbereich (VGS) von -10 V bis 25 V, einer Verlustleistung (PD) von 310 W/560 W und einem Dauersenkenstrom (ID) von 79 A/150 A betrieben. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Motorsteuerung und AC-Schalter verwendet.