MSCSM120AM042CD3AG

Microchip Technology
494-120AM042CD3AG
MSCSM120AM042CD3AG

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
D3
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marke: Microchip Technology
Abfallzeit: 67 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 495 A
Pd - Verlustleistung: 2.031 kW
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 5.2 mOhms
Anstiegszeit: 55 ns
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 166 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 56 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 1.8 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99