MIC4605-1YM

Microchip Technology
998-MIC4605-1YM
MIC4605-1YM

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 85V Half Bridge Gate Drvr, SOIC-8
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Datenblatt:
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Microchip
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
1 A
5.5 V
16 V
20 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
MIC4605
AEC-Q100
Tube
Marke: Microchip Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 95
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 100 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Infotainment-Applikationen

Microchip Technology -Infotainment-Applikationen umfassen alles, vom Re-Routing aufgrund von Verkehrsverzögerungen bis hin zur Bereitstellung von intuitiven visuellen, hörbaren und taktilen Schnittstellen. Dazu gehören Schnittstellen zu den verteilten und vernetzten Untersystemen des Fahrzeugs, wie z. B. Klimaanlage, Antriebsstrang und Bordnetzsteuerungen. Über die Onboard-Konnektivitätsoptionen kann eine große Auswahl von Medien und Inhalten durchsucht und darauf zugegriffen sowie die neuesten Informationen in sozialen Medien abgerufen werden.

MIC4605 Gate-Treiber

Microchip Technology MIC4605 Gate-Treiber sind 85-V-Halbbrücken-MOSFET-Treiber mit adaptiver Totzeit und Durchzündungsschutz. Diese adaptive Totzeitschaltung überwacht die Halbbrücken- und Low-Side-MOSFET-Übergänge, um die Leistungseffizienz zu maximieren. Die Durchzündungsschutz-Schaltung verhindert fehlerhafte Eingänge und Störungen, die durch das gleichzeitige Einschalten beider MOSFETs entstehen würden. Die MIC4605 Gate-Treiber bieten einen großen Betriebsversorgungsspannungsbereich von 5,5 V bis 16 V zur Maximierung des Systemwirkungsgrads. Die niedrige Spannung ermöglicht längere Laufzeiten in batteriebetriebenen Applikationen. Dieser einstellbare Gate-Drive versetzt die Spannung des Gate-Drive auf VDD für einen optimalen MOSFET RDS(ON) und reduziert durch den RDS(ON) des MOSFETs den Leistungsverlust. Die Gate-Treiber sind in einem 8-Pin-SOIC-Gehäuse und einem winzigen 10-Pin-TDFN-Gehäuse verfügbar und werden in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören Lüfter, Wechselrichter und E-Bikes.

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