APTGT50H60T3G

Microchip Technology
494-APTGT50H60T3G
APTGT50H60T3G

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP3F
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Datenblatt:
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Microchip
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS:  
IGBT Modules
Full Bridge
600 V
1.5 V
80 A
600 nA
176 W
SP3-32
- 40 C
+ 100 C
Tube
Marke: Microchip Technology
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Montageart: Screw Mount
Produkt-Typ: IGBT Modules
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 136,750 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

DTS

PCN

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT-Leistungsmodule

Die IGBT-Leistungsmodule von Microchip bieten eine umfassende Palette von IGBT-Leistungsmodulen mit verschiedenen Trench- und Field-Stop-Generationen, die eine optimierte Schalt- und Leitungsverlustleistung bieten. Die Teilenummern der Leistungsmodule geben den Typ des verwendeten IGBT an. Die Trench5 IGBT-Familie ergänzt das Micochip-Angebot an IGBT-Leistungsmodulen und ist das perfekte Ersatzteil für NPT IGBTs. Die diskreten und modularen SiC-Produkte von Microchip können als alternative Lösungen für Anwendungen betrachtet werden, die Schaltfrequenzen über 20 kHz erfordern.

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