GTRA384802FC-V1-R0

MACOM
941-GTRA384802FCV1R0
GTRA384802FC-V1-R0

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.

Auf Lager: 50

Lagerbestand:
50 sofort lieferbar
Bestellmengen größer als 50 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 252,65 € 252,65
€ 185,15 € 1.851,50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
€ 185,15 € 9.257,50
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
Versandbeschränkungen:
 Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:  
Screw Mount
H-37248C-4
N-Channel
125 V
9.5 A
+ 225 C
Marke: MACOM
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Verstärkung: 13 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 3.8 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 3.6 GHz
Ausgangsleistung: 400 W
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V to 2 V
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.a.4

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen.