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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IQEH80NE2LM7UCGS

Herst.- Nr.:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Datenblatt (PDF)

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	€ 0,835	€ 417,50
	€ 0,734	€ 734,00
	€ 0,68	€ 1 700,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 6000)
	€ 0,658	€ 3 948,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	282 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	800 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	107 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.4 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	6000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.4 ns
Artikel # Aliases:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

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Datenblatt

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind leistungsstarke N-Kanal Transistoren, die für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs bieten einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, überlegenen thermischen Widerstand und ein ausgezeichnetes Miller-Verhältnis für dv/dt-Robustheit. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien sowie für FOMoss optimiert. Diese MOSFETs sind zu 100 % durch Avalanche-Tests geprüft und sind RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind gemäß IEC61249‑2‑21 halogenfrei.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.