IGD70R140D2SAUMA1

Infineon Technologies
726-IGD70R140D2SAUMA
IGD70R140D2SAUMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
700 V
- 10 V
1.6 V
1.9 nC
- 40 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolGaN
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 23 ns
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: CoolGaN G5
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: CoolGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit: 10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns
Artikel # Aliases: IGD70R140D2S SP006085341
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren

Infineon Technologies 700 V CoolGaN™ G5 Leistungstransistoren stellen einen bedeutenden Fortschritt in der Leistungsumwandlungstechnologie dar. Diese Galliumnitrid (GaN) -Transistoren sind für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit hervorragendem Wirkungsgrad ausgelegt, wodurch ein extrem schnelles Schalten und Energieverluste ermöglicht werden. Die 700 V CoolGaN G5-Baureihe verfügt über Normal-Aus Anreicherungsmodus-Transistoren, um einen sicheren Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Mit niedriger Gate- und Ausgangsladung unterstützen diese Transistoren Designs mit hoher Leistungsdichte und reduzieren die system-BOM-Kosten.