FS50R12N2T7B15BPSA2

Infineon Technologies
726-FS50R12N2T7B15B2
FS50R12N2T7B15BPSA2

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.5 V
50 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: IGBT Modules
Verpackung ab Werk: 15
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: FS50R12N2T7_B15 SP005612508
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200-V-Sixpack-IGBT-Module

Die Infineon 1200-V-Sixpack-IGBT-Module sind EasyPACK™ 1B-Sixpack-IGBT-Module mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter 7-Dioden- und NTC-Technologie. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige maximale Betriebstemperatur bis zu 175°C in den 1200-V-Sixpack-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.