FM25V10-DG

Infineon Technologies
727-FM25V10-DG
FM25V10-DG

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM FRAM

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Infineon
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
128 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM25V10-G
Tube
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung: 2 V to 3.6 V
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 370
Unterkategorie: Memory & Data Storage
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CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.