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DF200R12KE3

Name: Infineon DF200R12KE3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-DF200R12KE3
Price: 92.4 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

641-DF200R12KE3

Herst.- Nr.:

DF200R12KE3

Herst.:

Infineon Technologies

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	200 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	1.04 kW
Verpackung/Gehäuse:	IS5a ( 62 mm )-5
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	IGBT3 - E3
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	SP000100741 DF200R12KE3HOSA1
Gewicht pro Stück:	340 g