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BFR340L3E6327XTMA1

Name: Infineon BFR340L3E6327XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR340L3E6327XTM
Price: 0.26 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BFR340L3E6327XTM

Herst.- Nr.:

BFR340L3E6327XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren NPN Silicon RF TRANSISTOR

Datenblatt:

BFR340L3E6327XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,267	€ 0,27
	€ 0,162	€ 1,62
	€ 0,128	€ 12,80
	€ 0,121	€ 60,50
	€ 0,116	€ 116,00
	€ 0,111	€ 277,50
	€ 0,108	€ 540,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	€ 0,098	€ 1 470,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFR340L3
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TSLP-3
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	BFR 340L3 E6327 SP000013558
Gewicht pro Stück:	0,540 mg

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BFR340L3E6327XTMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HF Transistoren von INFINEON

HF Transistoren von Infineon umfassen rauscharme Verstärker und hochlineare Transistoren. Rauscharme Geräte beruhen auf der Silizium-Bipolar-Technologie. Eine moderate Übergangsfrequenz fT <20 GHz gewährleistet Benutzerfreundlichkeit und Stabilität. Die Durchlassspannung sichert die Versorgungsspannung von 5V. Diese Transistoren eignen sich für die Verwendung mit AM VHF / UHF bis zu 14 GHz.

Hochlineare Transistoren bieten OIP3 (Output Intercept Point 3) über 29 dBm. Sie basieren auf der High-Volume Silizium-Bipolar-Technologie und SiGe:C-Technologien von Infineon und gehören zu den Besten der Besten, was die Rauschzahlen betrifft. Die Komponenten eignen sich ideal für Treiber, Vorverstärker und Pufferverstärker.