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BFR 460L3 E6327

Name: Infineon BFR 460L3 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR460L3E6327
Price: 0.44 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BFR460L3E6327

Herst.- Nr.:

BFR 460L3 E6327

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA

Datenblatt:

BFR 460L3 E6327 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,447	€ 0,45
	€ 0,284	€ 2,84
	€ 0,228	€ 22,80
	€ 0,218	€ 109,00
	€ 0,209	€ 209,00
	€ 0,20	€ 500,00
	€ 0,195	€ 975,00
	€ 0,186	€ 1 860,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	€ 0,18	€ 2 700,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFR460L3
Transistorart:	Bipolar
Technologie:	Si
Transistorpolung:	NPN
Betriebsfrequenz:	22 GHz
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	4.5 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	1.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSLP
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	50 mA
Pd - Verlustleistung:	200 mW
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SP000014238 BFR46L3E6327XT BFR460L3E6327XTMA1
Gewicht pro Stück:	0,540 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HF Transistoren von INFINEON

HF Transistoren von Infineon umfassen rauscharme Verstärker und hochlineare Transistoren. Rauscharme Geräte beruhen auf der Silizium-Bipolar-Technologie. Eine moderate Übergangsfrequenz fT <20 GHz gewährleistet Benutzerfreundlichkeit und Stabilität. Die Durchlassspannung sichert die Versorgungsspannung von 5V. Diese Transistoren eignen sich für die Verwendung mit AM VHF / UHF bis zu 14 GHz.

Hochlineare Transistoren bieten OIP3 (Output Intercept Point 3) über 29 dBm. Sie basieren auf der High-Volume Silizium-Bipolar-Technologie und SiGe:C-Technologien von Infineon und gehören zu den Besten der Besten, was die Rauschzahlen betrifft. Die Komponenten eignen sich ideal für Treiber, Vorverstärker und Pufferverstärker.