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BFR 380L3 E6327

Name: Infineon BFR 380L3 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR380L3E6327
Price: 0.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BFR380L3E6327

Herst.- Nr.:

BFR 380L3 E6327

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren NPN Silicon RF TRANSISTOR

Datenblatt:

BFR 380L3 E6327 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,576	€ 0,58
	€ 0,357	€ 3,57
	€ 0,241	€ 24,10
	€ 0,174	€ 87,00
	€ 0,148	€ 148,00
	€ 0,133	€ 332,50
	€ 0,118	€ 590,00
	€ 0,108	€ 1 080,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	€ 0,098	€ 1 470,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BFR380L3E6327XTMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,27

Min:

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

BFR380L3E6327XTMA1

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren NPN Silicon RF TRANSISTOR

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFR380L3
Transistorart:	Bipolar
Technologie:	Si
Transistorpolung:	NPN
Betriebsfrequenz:	14 GHz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	90
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	6 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	2 V
Kollektorgleichstrom:	80 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSLP
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	80 mA
Pd - Verlustleistung:	380 mW
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SP000013562 BFR38L3E6327XT BFR380L3E6327XTMA1
Gewicht pro Stück:	0,540 mg

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HF Transistoren von INFINEON

HF Transistoren von Infineon umfassen rauscharme Verstärker und hochlineare Transistoren. Rauscharme Geräte beruhen auf der Silizium-Bipolar-Technologie. Eine moderate Übergangsfrequenz fT <20 GHz gewährleistet Benutzerfreundlichkeit und Stabilität. Die Durchlassspannung sichert die Versorgungsspannung von 5V. Diese Transistoren eignen sich für die Verwendung mit AM VHF / UHF bis zu 14 GHz.

Hochlineare Transistoren bieten OIP3 (Output Intercept Point 3) über 29 dBm. Sie basieren auf der High-Volume Silizium-Bipolar-Technologie und SiGe:C-Technologien von Infineon und gehören zu den Besten der Besten, was die Rauschzahlen betrifft. Die Komponenten eignen sich ideal für Treiber, Vorverstärker und Pufferverstärker.

HF-Lösungen

Die Infineon HF-Lösungen bieten HF-Produkte für zahlreiche Applikationen mit hochleistungsfähigen, kostengünstigen Bauteilen. HF-Lösungen umfassen Transistoren, rauscharme Verstärker, GPS/GLONASS/COMPASS LNA, Schalter, Module und Tuner.
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