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2EDN7534GXTMA1

Name: Infineon 2EDN7534GXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-2EDN7534GXTMA1
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-2EDN7534GXTMA1

Herst.- Nr.:

2EDN7534GXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber LOW SIDE DRIVERS

Datenblatt:

2EDN7534GXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 0,851	€ 0,85
	€ 0,605	€ 6,05
	€ 0,544	€ 13,60
	€ 0,478	€ 47,80
	€ 0,446	€ 111,50
	€ 0,427	€ 213,50
	€ 0,411	€ 411,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	€ 0,329	€ 1 316,00
	€ 0,308	€ 2 464,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	5 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	8.6 ns
Abfallzeit:	6 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Eingangsspannung – Max:	20 V
Eingangsspannung – Min:	- 10 V
Logiktyp:	CMOS
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	25 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.4 Ohms
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	2EDN7534G SP005350311

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USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

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DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

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EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.