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1ED020I12F2XUMA1

Name: Infineon 1ED020I12F2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED020I12F2XUMA1
Price: 3.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-1ED020I12F2XUMA1

Herst.- Nr.:

1ED020I12F2XUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA

Datenblatt:

1ED020I12F2XUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,56	€ 3,56
	€ 2,69	€ 26,90
	€ 2,47	€ 61,75
	€ 2,24	€ 224,00
	€ 2,12	€ 530,00
	€ 2,06	€ 1 030,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 1,88	€ 1 880,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

1ED020I12-F2

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 4,92

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Typ:	High-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	2 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	400 ns
Abfallzeit:	350 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	1ED-F2 Enhanced
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Logiktyp:	CMOS
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	7 mA
Ausgangsspannung:	6.5 V
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	195 ns
Abschaltung:	Yes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	1ED020I12-F2 SP000920028
Gewicht pro Stück:	500 mg

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Datenblatt

1ED020I12F2XUMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310075
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs

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Isolierte Gate-Treiber

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Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

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DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.